황화 카드뮴
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1. 개요
황화 카드뮴(CdS)은 가용성 카드뮴 염을 황 이온으로 침전시켜 제조되는 화합물이다. 두 가지 결정 구조를 가지며, 띠 간격이 가시광선 파장에 근접하여 색을 띤다. 반도체, 광전지, 인광체, 압전 소자, 레이저 매질 등 다양한 분야에 응용되며, 특히 우수한 특성으로 인해 안료(카드뮴 옐로우)로 널리 사용된다. 황화 카드뮴은 독성이 있어 흡입 시 위험하며, 발암 물질로 분류된다.
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황화 카드뮴 - [화학 물질]에 관한 문서 | |
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기본 정보 | |
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다른 이름 | 황화 카드뮴(II) 그리노카이트 하울리이트 카드뮴 옐로 |
식별자 | |
ChemSpider ID | 7969586 |
UNII | 057EZR4Z7Q |
ChEBI | 50833 |
Gmelin | 13655 |
InChI | 1/Cd.S/q+2;-2 |
SMILES | [S-2].[Cd+2] |
SMILES 설명 | 단량체 |
SMILES1 | [SH+2]12[CdH2-2] [SH+2]3[CdH2-2] [SH+2]([CdH-2]14)[CdH-2]1[S+2]5([CdH-2]38)[Cd-2]26[SH+2]2[CdH-2]([S+2]4)[SH+2]1[CdH2-2] [SH+2]3[CdH-2]2[S+2] [CdH-2]([SH+2]6[CdH-2]([SH+2])[SH+2]68)[SH+2]([CdH2-2]6)[CdH-2]35 |
SMILES1 설명 | 하울리이트 |
SMILES2 | [CdH2-2]1[S+2]47[CdH-2]2[S+2] [CdH-2]3[S+2]8([CdH2-2] [SH+2]([CdH2-2]4)[CdH2-2]6)[CdH-2]4[S+2] [CdH-2]5[S+2]6([CdH2-2]6)[Cd-2]78[S+2]78[CdH-2]([SH+2]69)[SH+2]5[CdH2-2] [SH+2]4[CdH-2]7[SH+2]3[CdH2-2] [SH+2]2[CdH-2]8[SH+2]1[CdH2-2]9 |
SMILES2 설명 | 그리노카이트 |
SMILES3 | [CdH2-2]1[SH+2]([CdH2-2]6)[CdH2-2] [SH+2]7[CdH-2]2[S+2] [Cd-2]3([S+2] [CdH-2]9[S+2]5)[S+2]18[Cd-2]45[S+2] [CdH-2]5[SH+2]6[Cd-2]78[S+2]78[CdH2-2] [SH+2]5[CdH2-2] [S+2]4([CdH2-2] [SH+2]9[CdH2-2]4)[CdH-2]7[S+2]34[CdH2-2] [SH+2]2[CdH2-2]8 |
SMILES3 설명 | 그리노카이트 |
InChIKey | FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYAL |
표준 InChI | 1S/Cd.S/q+2;-2 |
표준 InChIKey | FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N |
CAS 등록번호 | 1306-23-6 |
EINECS | 215-147-8 |
RTECS | EV3150000 |
UN 번호 | 2570 |
PubChem | 14783 |
성질 | |
화학식 | CdS |
겉모습 | 황색-오렌지색 내지 갈색 고체 |
밀도 | 4.826 g/cm3, 고체 |
용해도 | 불용성 |
다른 용해도 | 산에 용해됨, 수산화 암모늄에 매우 약간 용해됨 |
녹는점 | 1750 °C |
녹는점 참고 | 10 MPa |
끓는점 | 980 °C |
끓는점 참고 | (승화) |
밴드갭 | 2.42 eV |
굴절률 | 2.529 |
자기 감수율 | -50.0·10−6 cm3/mol |
구조 | |
결정 구조 | 육방정계, 입방정계 |
열화학 | |
생성 엔탈피 | −162 kJ·mol−1 |
엔트로피 | 65 J·mol−1·K−1 |
위험성 | |
외부 SDS | ICSC 0404 |
GHS 그림 문자 | |
GHS 신호어 | 위험 |
H 문구 | |
P 문구 | |
NFPA-H | 3 |
NFPA-F | 0 |
NFPA-R | 0 |
인화점 | 불연성 |
LD50 | 7080 mg/kg (쥐, 경구) |
REL | Ca |
PEL | [1910.1027] TWA 0.005 mg/m3 (Cd로서) |
IDLH | Ca [9 mg/m3 (Cd로서)] |
관련 화합물 | |
다른 음이온 | 산화 카드뮴 셀렌화 카드뮴 텔루르화 카드뮴 |
다른 양이온 | 황화 아연 황화 수은 |
2. 생성
황화 카드뮴은 가용성 카드뮴(II) 염을 황 이온으로 침전시켜 제조할 수 있다. 이 반응은 정성 무기 분석에 사용되었다.[5] 제조 경로와 그 후의 생성물 처리 방식은 생성되는 다형체 형태(입방형 대 육방형)에 영향을 미친다. 화학적 침전 방법은 입방형 섬아연광 형태를 생성하는 것으로 알려져 있다.[6]
안료 생산에는 일반적으로 CdS 침전, 가용성 카드뮴 염을 제거하기 위한 고체 침전물 세척, 육방형으로 전환하기 위한 소성(로스팅), 분말 생산을 위한 분쇄가 포함된다.[7] 황화 카드뮴 셀레늄이 필요한 경우 CdSe를 CdS와 함께 공침전시켜 소성 단계에서 황화 카드뮴 셀레늄을 생성한다.[1]
황화 카드뮴은 때때로 황산염 환원 세균과 관련이 있다.[8][9]
2. 1. 화학 반응식
Cd2+ + 4 NH3 → [Cd(NH3)4]2+[5](NH2)2CS + OH− → SH− + H2O + H2CN2[5]
SH− + Cd2+ → CdS + H+[5]
Cd2+ + H2O + (NH2)2CS + 2 NH3 → CdS + (NH2)2CO + 2 NH4+[10]
Cd(CH3)2 + Et2S → CdS + CH3CH3 + C4H10[11]
2. 2. 박막 제조 방법
화학적 용액 증착법에서는 티오요소를 황화물 음이온의 공급원으로, 암모늄 완충 용액을 pH 조절을 위해 사용하여 CdS 박막을 제조했다.[10]:Cd2+ + H2O + (NH2)2CS + 2 NH3 → CdS + (NH2)2CO + 2 NH4+
유기금속 화학 기상 증착법 및 MOCVD 기술을 사용하여 디메틸카드뮴과 디에틸 황화물의 반응으로 황화 카드뮴을 생성할 수 있다.[11]
:Cd(CH3)2 + Et2S → CdS + CH3CH3 + C4H10
CdS 박막을 제조하는 다른 방법은 다음과 같다.
- 졸-겔법[12]
- 스퍼터링[13]
- 전기화학적 증착[14]
- 전구체 카드뮴 염, 황 화합물 및 도펀트를 사용한 분무[15]
- 분산된 CdS를 포함하는 슬러리를 사용한 스크린 인쇄[16]
3. 성질
황화 카드뮴은 산에 녹는다.[17]
:CdS + 2 HCl → CdCl2 + H2S
황화물을 포함하며 분산된 CdS 입자가 있는 용액에 빛을 쪼이면 수소 기체가 발생한다.[18]
:H2S → H2 + S Δf''H'' = +9.4 kcal/mol
이 반응의 메커니즘에서, 입사광이 황화 카드뮴에 흡수되면 전자-정공 쌍[1]이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 물 및 황화물과 반응한다.[1]
:전자-정공 쌍 생성
::CdS + ''hν'' → e− + h+
:전자 반응
::2e− + 2H2O → H2 + 2OH−
:정공 반응
::2h+ + S2− → S
3. 1. 구조 및 물리적 성질
황화 카드뮴은 황화 아연과 유사하게 두 가지 결정 형태를 갖는다. 더 안정적인 육방정계 섬아연석 구조(광물 그리녹석에서 발견됨)와 입방정계 섬아연석 구조(광물 호울레이트에서 발견됨)이다. 이 두 형태 모두에서 카드뮴과 황 원자는 4배위이다.[19] 고압 형태로는 NaCl 암염 구조도 있다.[1]황화 카드뮴은 직접 띠 간격 반도체이다(띠 간격 2.42 eV).[20] 띠 간격이 가시광선 파장에 근접해 있기 때문에 색깔을 띤다.[1] 이러한 명백한 특성 외에도 다음과 같은 특성이 있다.
- 조사 시 전도도가 증가한다.[1] (광저항으로 사용되는 이유)
- p형 반도체와 결합하면 광전지(태양 전지)의 핵심 구성 요소를 형성하며, CdS/Cu2S 태양 전지는 효율적인 전지 중 하나로 처음 보고된 것 중 하나이다(1954).[21][22]
- Cu+(활성제) 및 Al3+("공활성제")로 도핑되면 전자빔 여기( 음극선발광) 하에 발광하며 인광체로 사용된다.[23]
- 두 가지 다형질이성체 모두 압전성을 가지며, 육방정계는 압전성도 있다.[24]
- 전기발광[25]
- CdS 결정은 고체 레이저의 이득 매질 역할을 할 수 있다.[26][27]
- 박막 형태의 CdS는 다른 층과 결합하여 특정 유형의 태양 전지에 사용될 수 있다.[28] CdS는 또한 박막 트랜지스터(TFT)에 사용된 최초의 반도체 재료 중 하나였다.[29]
- CdS 박막은 압전성을 가질 수 있으며 GHz 영역의 주파수에서 작동할 수 있는 트랜스듀서로 사용되어 왔다.
- CdS 나노리본은 ~510 nm에서 반스톡스 발광 중 포논 소멸로 인해 순냉각을 보인다.
3. 2. 화학적 성질
황화 카드뮴은 산에 녹는다.[17]:CdS + 2 HCl → CdCl2 + H2S
황화물을 포함하고 분산된 CdS 입자가 있는 용액에 빛을 쪼이면 수소 기체가 발생한다.[18]
:H2S → H2 + S Δf''H'' = +9.4 kcal/mol
제안된 메커니즘은 입사광이 황화 카드뮴에 흡수될 때 생성되는 전자-정공 쌍[1]이 물과 황화물과 반응하는 것을 포함한다.[1]
:전자-정공 쌍의 생성(전자-정공 쌍)
::CdS + ''hν'' → e− + h+
:전자의 반응
::2e− + 2H2O → H2 + 2OH−
:정공의 반응
::2h+ + S2− → S
4. 응용
황화 카드뮴은 카드뮴 옐로우(CI 안료 옐로우 37)로 알려진 안료로 널리 사용되며, 플라스틱에서 안정성, 내광성, 내후성, 내화학성 및 높은 불투명도를 제공한다.[1] 1982년 기준으로 연간 2000ton이 생산되었으며, 이는 상업적으로 처리되는 카드뮴의 약 25%를 차지한다.[32] 셀렌화 카드뮴과의 고용액을 통해 붉은색 계열의 안료(CI 안료 오렌지 20, CI 안료 레드 108)를 생성할 수 있다.[1]
또한, 황화 카드뮴 박막은 광저항 및 태양 전지의 구성 요소로 활용된다.[1] 1954년에 보고된 CdS/Cu2S 태양 전지는 초기 효율적인 전지 중 하나였다.[21][22] 박막 트랜지스터(TFT)에 사용된 최초의 반도체 재료 중 하나였으나, 1970년대 후반 비정질 실리콘 기술 등장 이후 관심이 줄었다.
그 외에도 황화 카드뮴은 다음과 같이 응용된다.
- 광저항[1]
- p형 반도체와 결합하여 광전지(태양 전지)의 핵심 구성 요소 형성[21][22]
- 활성제(Cu+) 및 도핑된 공활성제(Al3+)는 인광체로 사용[23]
- 다형질이성체는 압전성을 가짐[24]
- 전기발광[25]
- 고체 레이저의 이득 매질[26][27]
- CdS 나노리본은 순냉각 효과
카드뮴 옐로우는 1840년대부터 상업적으로 판매되었으며, 반 고흐, 모네, 마티스 등의 화가들이 사용했다.[33] 19세기 이전에 제작되었다고 주장되는 그림의 위작 여부는 카드뮴 안료의 존재로 감지할 수 있다.[34]
4. 1. 안료
CdS는 플라스틱에서 안료로 사용되며, 우수한 열 안정성, 내광성 및 내후성, 내화학성, 높은 불투명도를 나타낸다.[1] 안료로서 CdS는 카드뮴 옐로우(CI 안료 옐로우 37)로 알려져 있다.[1][31] 1982년 기준으로 연간 약 2000ton이 생산되었으며, 이는 상업적으로 처리되는 카드뮴의 약 25%를 차지한다.[32]CdS(황화 카드뮴)와 CdSe(셀렌화 카드뮴)는 서로 고용액을 형성한다. 셀렌화 카드뮴의 양을 늘리면, CI 안료 오렌지 20과 CI 안료 레드 108처럼 붉은색 계열의 안료가 된다.[1]
4. 2. 광전자 소자
CdS 박막은 일부 광저항 및 태양 전지의 구성 요소로 사용된다.[1] 1954년에 처음 보고된 효율적인 전지 중 하나는 CdS/Cu2S 태양 전지이다.[21][22]CdS는 박막 트랜지스터(TFT)에 사용된 최초의 반도체 재료 중 하나였지만,[29] 1970년대 후반 비정질 실리콘 기술이 등장한 후 TFT용 화합물 반도체에 대한 관심은 크게 줄었다.
CdS 박막은 압전성을 가질 수 있으며 GHz 영역의 주파수에서 작동할 수 있는 트랜스듀서로 사용되어 왔다. CdS 나노리본은 ~510 nm에서 반스톡스 발광 중 포논 소멸로 인해 순냉각을 보인다. 결과적으로 나노리본을 514 또는 532 nm 레이저로 펌핑할 때 최대 40K 및 15K의 온도 강하가 입증되었다.[30]
4. 3. 기타 응용
- 광저항으로 사용된다.(조사 시 전도도가 증가)[1]
- p형 반도체와 결합하면 광전지(태양 전지)의 핵심 구성 요소를 형성하며, CdS/Cu2S 태양 전지는 효율적인 전지 중 하나로 처음 보고된 것 중 하나이다(1954).[21][22]
- 활성제(Cu+) 및 도핑된 공활성제(Al3+)는 전자빔 여기(음극선발광) 하에 발광하며 인광체로 사용된다.[23]
- 두 가지 다형질이성체 모두 압전성을 가지며, 육방정계는 압전성도 있다.[24]
- 전기발광[25]
- CdS 결정은 고체 레이저의 이득 매질 역할을 할 수 있다.[26][27]
- 박막 형태의 CdS는 다른 층과 결합하여 특정 유형의 태양 전지에 사용될 수 있다.[28] CdS는 또한 박막 트랜지스터(TFT)에 사용된 최초의 반도체 재료 중 하나였다.[29] 그러나 1970년대 후반 비정질 실리콘 기술이 등장한 후 TFT용 화합물 반도체에 대한 관심은 크게 줄었다.
- CdS 박막은 압전성을 가질 수 있으며 GHz 영역의 주파수에서 작동할 수 있는 트랜스듀서로 사용되어 왔다.
- CdS 나노리본은 ~510 nm에서 반스톡스 발광 중 포논 소멸로 인해 순냉각을 보인다. 결과적으로 나노리본을 514 또는 532 nm 레이저로 펌핑할 때 최대 40K 및 15K의 온도 강하가 입증되었다.[30]
4. 4. 과거 예술 분야에서의 활용
카드뮴 옐로우(CI 안료 옐로우 37)는 CdS를 포함하는 안료로, 1840년대부터 상업적으로 판매되기 시작했다.[33] 반 고흐, 모네(런던 시리즈 및 다른 작품들), 마티스(강가의 목욕하는 사람들 1916~1919) 등의 화가들이 황화 카드뮴을 사용했다.[33] 19세기 이전에 제작되었다고 주장되는 그림의 위작 여부는 카드뮴 안료의 존재로 감지할 수 있다.[34]5. 안전성
황화 카드뮴은 독성이 있으며, 특히 먼지 형태로 흡입될 경우 매우 위험하다. 일반적으로 카드뮴 화합물은 발암성 물질로 분류된다.[35] 황화 카드뮴이 문신의 색소로 사용될 때 생체 적합성 문제가 보고되었다.[36] 쥐에 대한 LD50은 약 7080mg/kg으로, 낮은 용해도 때문에 다른 카드뮴 화합물보다 높다.[37]
참조
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